UF3SC120009K4S

Qorvo

Produkt-Nr.:

UF3SC120009K4S

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Paket:

TO-247-4

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Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8512 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	234 nC @ 15 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 12V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	789W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Mfr	Qorvo
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Package	Tube
Base Product Number	UF3SC120009