UF3C120150K4S

Qorvo

Produkt-Nr.:

UF3C120150K4S

Hersteller:

Paket:

TO-247-4

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 488

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	738 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.7 nC @ 12 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 5A, 12V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	166.7W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.4A (Tc)
Mfr	Qorvo
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Package	Tube
Base Product Number	UF3C120150