TP2535N3-G

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

TP2535N3-G

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TO-92-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	125 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package	TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	350 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	740mW (Ta)
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	86mA (Tj)
Mfr	Microchip Technology
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bag
Base Product Number	TP2535