TN0110N3-G

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

TN0110N3-G

Hersteller:

Paket:

TO-92-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Tc)
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	350mA (Tj)
Mfr	Microchip Technology
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bag
Base Product Number	TN0110