TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
Produkt-Nr.:
TK18E10K3,S1X(S
Hersteller:
Paket:
TO-220-3
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | U-MOSIV |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package | Tube |
| Base Product Number | TK18E10 |
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