SE40NJ-M3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

SE40NJ-M3/I

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DFN3820A

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A

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Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	1.2 µs
Capacitance @ Vr, F	24pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Supplier Device Package	DFN3820A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	2-VDFN
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1 V @ 4 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io)	4A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C