SDT10S30
Infineon Technologies
Produkt-Nr.:
SDT10S30
Hersteller:
Paket:
PG-TO220-2-2
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : Bitte Anfrage
Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 300 V |
| Series | CoolSiC™+ |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Package | Tube |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | SDT10S |
Empfohlene Teile
SDT10S30 Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2025-09-25 4
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 3
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 5
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 3
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号