PXN8R3-30QLJ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PXN8R3-30QLJ

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MLPAK33

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PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.9 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package	MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.4A (Ta), 31A (Tc)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)