PSMN009-100B,118
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PSMN009-100B,118

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PSMN009-100B,118

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Paket:

D2PAK

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk