PMXB65ENEZ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMXB65ENEZ

Hersteller:

Paket:

DFN1010D-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 9899

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package	DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMXB65