PMXB360ENEAZ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMXB360ENEAZ

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DFN1010D-3

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package	DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	Automotive, AEC-Q100
Power Dissipation (Max)	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Package / Case	3-XDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMXB360