PMV100EPAR

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMV100EPAR

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TO-236AB

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MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	616 pF @ 30 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMV100