PMPB19XP,115

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

PMPB19XP,115

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DFN2020MD-6

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Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2890 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.2 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMPB19