PJD50P04_L2_00001

Panjit International Inc.

Produkt-Nr.:

PJD50P04_L2_00001

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TO-252

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2767 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 63W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta), 50A (Tc)
Mfr	Panjit International Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PJD50