PJD30N15_L2_00001

Panjit International Inc.

Produkt-Nr.:

PJD30N15_L2_00001

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TO-252

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150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1764 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 102W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta), 25A (Tc)
Mfr	Panjit International Inc.
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PJD30