NXV40UNR

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

NXV40UNR

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TO-236AB

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NXV40UN/SOT23/TO-236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	347 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)