NXPSC10650X6Q

WeEn Semiconductors

Produkt-Nr.:

NXPSC10650X6Q

Hersteller:

Paket:

TO-220F

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	300pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Last Time Buy
Supplier Device Package	TO-220F
Current - Reverse Leakage @ Vr	250 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Bulk
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Base Product Number	NXPSC