MSJP11N65-BP

Micro Commercial Co

Produkt-Nr.:

MSJP11N65-BP

Hersteller:

Paket:

TO-220AB (H)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	901 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB (H)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Micro Commercial Co
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	MSJP11