M2SK-12MD4C06-M
Innodisk USA Corporation
Produkt-Nr.:
M2SK-12MD4C06-M
Hersteller:
Paket:
-
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
800MT/S 64MX16 512MB
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : Bitte Anfrage
Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Series | 3IE3 |
| Memory Size | 512MB |
| Package / Case | 200-SODIMM |
| Mfr | Innodisk USA Corporation |
| Package | Bulk |
| Memory Type | DDR2 SDRAM |
| Product Status | Active |
| Transfer Rate (Mb/s, MT/s, MHz) | 800 |
Empfohlene Teile
M2SK-12MD4C06-M Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2025-09-25 4
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 3
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 5
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 3
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号