K4B4G1646E-BYK000
Samsung Semiconductor, Inc.
Produkt-Nr.:
K4B4G1646E-BYK000
Hersteller:
Paket:
-
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : 1953
Minimum: 1 Vielfache: 1
Menge
Stückpreis
Ext-Preis
224
$4.75
$1064
448
$4.5125
$2021.6
672
$4.4175
$2968.56
896
$4.3225
$3872.96
1120
$4.0375
$4522
Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C |
| Clock Frequency | 800 MHz |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Memory Type | Volatile |
| Series | - |
| Memory Size | 4Gbit |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Voltage - Supply | 1.35V |
| Mfr | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Package | Tray |
| Memory Format | DRAM |
Empfohlene Teile
K4B4G1646E-BYK000 Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2024-10-24 2
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 2
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 4
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 2
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号