K4B4G1646E-BYK000
Samsung Semiconductor, Inc.
Produkt-Nr.:
K4B4G1646E-BYK000
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Beschreibung:
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C |
| Clock Frequency | 800 MHz |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Memory Type | Volatile |
| Series | - |
| Memory Size | 4Gbit |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Voltage - Supply | 1.35V |
| Mfr | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Package | Tray |
| Memory Format | DRAM |
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