IXTY1R4N120P
IXYS
Produkt-Nr.:
IXTY1R4N120P
Hersteller:
Paket:
TO-252AA
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
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100
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500
$2.371466
$1185.733
1000
$2.000035
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2000
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Series | Polar |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Mfr | IXYS |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tube |
| Base Product Number | IXTY1 |
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