IXTQ170N10P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTQ170N10P

Hersteller:

Paket:

TO-3P

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 170A TO3P

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 10

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	198 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Polar
Power Dissipation (Max)	715W (Tc)
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTQ170