IXTA1R4N120P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXTA1R4N120P

Hersteller:

Paket:

TO-263AA

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	666 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	Polar
Power Dissipation (Max)	86W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTA1