IXFX27N80Q

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFX27N80Q

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PLUS247™-3

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	HiPerFET™, Q Class
Power Dissipation (Max)	500W (Tc)
Package / Case	TO-247-3 Variant
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFX27