IXFT30N85XHV
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IXFT30N85XHV

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFT30N85XHV

Hersteller:

IXYS

Paket:

TO-268 (IXFT)

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 850V 30A TO268

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-268 (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 850 V
Series HiPerFET™, Ultra X
Power Dissipation (Max) 695W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXFT30