IXFT24N90P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFT24N90P

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Paket:

TO-268AA

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 24A TO268

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7200 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	HiPerFET™, Polar
Power Dissipation (Max)	660W (Tc)
Package / Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFT24