IXFP4N85XM

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFP4N85XM

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TO-220

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	247 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	850 V
Series	HiPerFET™, Polar
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFP4N85