IXFN56N90P

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFN56N90P

Hersteller:

Paket:

SOT-227B

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 130

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23000 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	375 nC @ 10 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135mOhm @ 28A, 10V
Supplier Device Package	SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id	6.5V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	HiPerFET™, Polar
Power Dissipation (Max)	1000W (Tc)
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFN56