IXFN170N65X2

IXYS

Produkt-Nr.:

IXFN170N65X2

Hersteller:

Paket:

SOT-227B

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27000 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	434 nC @ 10 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package	SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	HiPerFET™, Ultra X2
Power Dissipation (Max)	1170W (Tc)
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFN170