IV1Q12160T4

Inventchip

Produkt-Nr.:

IV1Q12160T4

Hersteller:

Paket:

TO-247-4

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 106

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	885 pF @ 800 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 1.9mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	138W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Mfr	Inventchip
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube