IDC04S60CEX1SA1
Infineon Technologies
Produkt-Nr.:
IDC04S60CEX1SA1
Hersteller:
Paket:
Die
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DIE
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Series | CoolSiC™+ |
| Package / Case | Die |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Package | Bulk |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | IDC04S60 |
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