HUF76113DK8T

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

HUF76113DK8T

Hersteller:

Paket:

US8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 77500

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	605pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.2nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	US8
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	UltraFET®
Package / Case	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2.5W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Bulk
Base Product Number	HUF76113