HGTP5N120BND
onsemi
Produkt-Nr.:
HGTP5N120BND
Hersteller:
Paket:
TO-220-3
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Input Type | Standard |
| Test Condition | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Series | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Gate Charge | 53 nC |
| Power - Max | 167 W |
| Mfr | onsemi |
| Package | Tube |
| IGBT Type | NPT |
| Base Product Number | HGTP5N120 |
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