GT035N06T

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

GT035N06T

Hersteller:

Paket:

TO-220

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 148

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5064 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	215W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube