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GPAS1006 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
Produkt-Nr.:
GPAS1006 MNG
Hersteller:
Paket:
TO-263AB (D²PAK)
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Menge:
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Base Product Number | GPAS1006 |
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