GF1KHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produkt-Nr.:
GF1KHE3_A/H
Hersteller:
Paket:
DO-214BA (GF1)
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Preliminary |
| Supplier Device Package | DO-214BA (GF1) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| Package / Case | DO-214BA |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 1 A |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
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