GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
Produkt-Nr.:
GB01SLT06-214
Hersteller:
Paket:
DO-214AA
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | DO-214AA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 6.5 V |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 1 A |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | GB01SLT06 |
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