DMN6013LFG-7

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMN6013LFG-7

Hersteller:

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PowerDI3333-8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2577 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.3A (Ta), 45A (Tc)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMN6013