DMN13H750S-7

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMN13H750S-7

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	231 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	130 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	770mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMN13