DMG4800LK3-13

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

DMG4800LK3-13

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TO-252-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	798 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package	TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.71W (Ta)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMG4800