CSD19533Q5AT

Texas Instruments

Produkt-Nr.:

CSD19533Q5AT

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8-VSONP (5x6)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2670 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package	8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	NexFET™
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 96W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Mfr	Texas Instruments
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	CSD19533