CE2F3P-T-AZ
Renesas Electronics Corporation
Produkt-Nr.:
CE2F3P-T-AZ
Hersteller:
Paket:
-
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANSISTOR NPN
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : Bitte Anfrage
Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package / Case | 3-SSIP |
| Power - Max | 1 W |
| Mfr | Renesas Electronics America Inc |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Package | Tube |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 5V |
Empfohlene Teile
CE2F3P-T-AZ Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2025-09-25 4
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 3
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 5
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 3
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号