BAS116GWJ
NXP Semiconductors
Produkt-Nr.:
BAS116GWJ
Hersteller:
Paket:
SOD-123
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | SOD-123 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Package / Case | SOD-123 |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Mfr | NXP Semiconductors |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Package | Bulk |
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
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