APTM50DHM35G
Microsemi Corporation
Produkt-Nr.:
APTM50DHM35G
Hersteller:
Paket:
SP6
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 49.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Series | - |
| Package / Case | SP6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 781W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 99A |
| Mfr | Microsemi Corporation |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | APTM50 |
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