APTM100UM45DAG
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APTM100UM45DAG

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

APTM100UM45DAG

Paket:

SP6

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 42700 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1602 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 107.5A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Series POWER MOS 7®
Power Dissipation (Max) 5000W (Tc)
Package / Case SP6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 215A (Tc)
Mfr Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk
Base Product Number APTM100