25P06

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

25P06

Hersteller:

Paket:

TO-252

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4417

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3384 pF @ 30 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)