1N6482-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produkt-Nr.:
1N6482-E3/97
Hersteller:
Paket:
DO-213AB
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Series | SUPERECTIFIER® |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Base Product Number | 1N6482 |
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