1N60G

UMW

Produkt-Nr.:

1N60G

Hersteller:

Paket:

SOT-223

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2460

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	UMW
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tj)
Mfr	UMW
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)