1N5830
GeneSiC Semiconductor
Produkt-Nr.:
1N5830
Hersteller:
Paket:
DO-4
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | DO-4 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 mA @ 20 V |
| Series | - |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Technology | Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 25 A |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 25 V |
| Package | Bulk |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Base Product Number | 1N5830 |
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