1N4006G-T
detaildesc

1N4006G-T

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

1N4006G-T

Paket:

DO-41

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Menge:

Lieferung:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Zahlung:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

Auf Lager : 19977

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

  • 1

    $0.3325

    $0.3325

  • 10

    $0.24985

    $2.4985

  • 100

    $0.14174

    $14.174

  • 500

    $0.093841

    $46.9205

  • 1000

    $0.071944

    $71.944

  • 2000

    $0.062558

    $125.116

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 2 µs
Capacitance @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package DO-41
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 800 V
Series -
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A
Mfr Diodes Incorporated
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 1A
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Base Product Number 1N4006